在标准CMOS工艺中设计和实现肖特基二极管需要考虑一些特殊的步骤和技巧，因为肖特基二极管在CMOS工艺中与普通MOS晶体管有一些不同之处。以下是设计和实现标准CMOS工艺集成肖特基二极管的一般步骤：

1. **选择适当的区域：** 在CMOS工艺晶片上选择一个合适的区域来放置肖特基二极管。通常，肖特基二极管在PMOS区域实现，因为CMOS工艺中PMOS区域适合实现肖特基势垒。

2. **设计肖特基结构：** 根据肖特基二极管的需求和规格，设计其结构，包括金属-半导体接触的形状和尺寸。设计要考虑正向电压降低、反向电流小、响应时间短等特点。

3. **掺杂和控制：** 肖特基二极管的正向电压特性与半导体材料的掺杂有关。通过适当的掺杂工艺控制，调整肖特基势垒的高度，从而影响正向电压降低。

4. **金属-半导体接触：** 设计金属-半导体接触的形状和材料，确保稳定的肖特基势垒。金属与半导体的接触电阻和特性对肖特基二极管的性能影响重大。

5. **布局和布线：** 根据设计，将肖特基二极管的结构布局在晶片上，并设计合适的金属层连接。这可能涉及到特殊的金属层和线宽。

6. **模拟和验证：** 使用模拟电路设计工具对设计进行模拟和验证，以确保肖特基二极管的预期性能满足要求。可能需要进行参数调整和优化。

7. **工艺制造：** 在CMOS工艺流程中，加入特殊的步骤和参数，以实现肖特基二极管的结构和特性。

8. **测试和调试：** 制造完成后，对晶片进行测试和调试，验证肖特基二极管的实际性能与设计目标的一致性。

需要注意的是，肖特基二极管的集成设计需要特殊的工艺步骤，可能与标准CMOS流程中的一般器件有所不同。在设计和实现过程中，需要密切合作与半导体工艺工程师，确保肖特基二极管的特性得以实现。

最后，成功实现集成肖特基二极管需要一定的专业知识和经验，建议与专业的半导体工程团队合作。