辰达半导体(MDD) TVS二极管 SMBJ26A 26V SMB(DO-214AA) 单向参数资料详解

辰达半导体(MDD) 的SMBJ26A是一款26V单向瞬态电压抑制器(TVS)二极管，采用SMB封装（DO-214AA），适用于各种电子电路中保护敏感器件免受瞬态电压的破坏。本文将对SMBJ26A的关键参数进行详细分析，并深入探讨其特性和应用。

# 一、产品概述

SMBJ26A属于SMBJ系列TVS二极管，其核心功能是通过将瞬态电压箝位在预设的电压水平，从而保护电路中的敏感器件，例如集成电路、微处理器、存储器、传感器等，免受瞬态电压的破坏。

# 二、参数分析

1. 电压参数：

* 反向击穿电压(VRWM): 26V，这是SMBJ26A的关键参数，表示当输入电压超过26V时，TVS二极管进入导通状态，并开始箝位电压，保护电路不受损坏。

* 最大反向工作电压(VRSM): 24V，表示SMBJ26A在正常工作状态下所能承受的最大反向电压。

* 箝位电压(VC): 32V，这是SMBJ26A在导通状态下所能达到的最大电压，通常情况下，箝位电压会略高于反向击穿电压。

2. 电流参数：

* 峰值脉冲电流(IPP): 6.5A，表示SMBJ26A能够承受的最高瞬态脉冲电流，该参数反映了TVS二极管对瞬态电压的承受能力。

* 最大反向电流(IR): 100μA，表示SMBJ26A在反向偏置状态下所能承受的最大电流。

* 钳位电流(IC): 1A，表示SMBJ26A在导通状态下能够通过的最大电流。

3. 其他参数：

* 响应时间(tr): 小于1ns，表示SMBJ26A对瞬态电压的响应速度，越快越好。

* 结电容(CJ): 4pF，表示SMBJ26A的结电容，越小越好，可以减少电路中的寄生电容。

* 工作温度范围(Top): -55℃~+150℃，表示SMBJ26A可以正常工作的温度范围。

# 三、特性与应用

1. 特性：

* 高压箝位能力： SMBJ26A能够将瞬态电压箝位在预设的电压水平，有效保护电路中的敏感器件。

* 快速响应速度： SMBJ26A对瞬态电压的响应速度非常快，能够有效地抑制瞬态电压的危害。

* 高可靠性： SMBJ26A采用优质材料和先进工艺制造，具有较高的可靠性。

* 低成本： SMBJ26A的成本较低，适用于各种电子产品的设计。

2. 应用：

* 电源保护： 用于保护电源电路中的敏感器件，如集成电路、电源管理芯片等，免受瞬态电压的破坏。

* 通信设备： 用于保护通信设备中的敏感器件，如射频芯片、数字信号处理器等，免受雷击或静电放电的破坏。

* 工业控制： 用于保护工业控制系统中的敏感器件，如PLC、变频器等，免受瞬态电压的破坏。

* 汽车电子： 用于保护汽车电子系统中的敏感器件，如ECU、传感器等，免受电磁干扰的破坏。

# 四、总结

辰达半导体(MDD)的SMBJ26A是一款26V单向瞬态电压抑制器(TVS)二极管，其拥有高压箝位能力、快速响应速度、高可靠性和低成本等优点，适用于各种电子电路中的瞬态电压保护应用。SMBJ26A能够有效地保护敏感器件，提高电路的可靠性，延长电子产品的使用寿命。

# 五、注意事项

* 使用SMBJ26A时，请注意其最大工作电压和峰值脉冲电流。

* 使用SMBJ26A时，请注意其封装尺寸，并选择合适的安装方式。

* 使用SMBJ26A时，请注意其工作温度范围，避免超过其工作温度范围。

# 六、参考资料

* 辰达半导体(MDD)官网：www.mddsemi

* SMBJ26A数据手册：可从辰达半导体(MDD)官网下载

通过以上分析，相信大家对辰达半导体(MDD)的SMBJ26A有了更深入的了解。 为了更好地帮助读者理解，我们还进行了以下内容补充：

1. 补充说明：

* TVS二极管的工作原理：

* TVS二极管的工作原理基于 PN 结的雪崩效应。当反向电压超过雪崩击穿电压时，PN 结中的载流子数急剧增加，形成雪崩效应，导致电流急剧增加，并将电压箝位在预设的电压水平。

* 简单的说，TVS 二极管就像一个电压“保险丝”，当电压超过安全值时，它会快速导通，将过电压“引流”到地，从而保护电路中的敏感器件。

* SMB封装：

* SMB封装是一种表面贴装式封装，其尺寸小巧，便于使用。

* SMB封装通常适用于低功率应用，例如保护集成电路、微处理器、存储器等。

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