辰达半导体(MDD)TVS二极管 SMBJ26CA 26V SMB(DO-214AA) 双向参数资料

 

2024-08-30 09:17:35

晨欣小编

辰达半导体(MDD) TVS 二极管 SMBJ26CA 参数详解

一、 产品概述

SMBJ26CA 是辰达半导体(MDD)生产的一款 26V 双向瞬态电压抑制器 (TVS) 二极管,采用 SMB (DO-214AA) 封装。该器件专为保护敏感电子设备免受瞬态电压的影响而设计,能够有效地吸收和钳制由静电放电 (ESD)、电磁干扰 (EMI) 和电源浪涌引起的电压尖峰。

二、 主要参数

| 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

|---|---|---|---|

| 反向击穿电压 (VRWM) | 26 | 28 | V |

| 最大反向工作电压 (VRM) | 24 | | V |

| 峰值脉冲电流 (IPP) | 10 | | A |

| 钳位电压 (VC) | 34 | 38 | V |

| 结电容 (CJ) | 2.5 | | pF |

| 泄漏电流 (IL) | 100 | | μA |

| 工作温度 (TO) | -55 | +150 | °C |

三、 产品特点

* 高压钳位能力: SMBJ26CA 能够有效钳制高达 38V 的电压尖峰,保护敏感电子器件免受损坏。

* 快速响应速度: 该器件响应速度快,能够在毫秒级内吸收和钳制瞬态电压,有效保护设备免受损坏。

* 高脉冲电流承受能力: SMBJ26CA 能够承受高达 10A 的峰值脉冲电流,确保在高电流冲击下也能正常工作。

* 低结电容: 2.5pF 的低结电容使得该器件能够有效抑制高频噪声,保证电路的稳定性和可靠性。

* 工作温度范围宽: SMBJ26CA 能够在 -55°C 到 +150°C 的温度范围内正常工作,适用于各种恶劣环境。

* 紧凑的 SMB 封装: SMB 封装体积小巧,方便安装和使用,适用于空间有限的应用场景。

四、 应用领域

SMBJ26CA 广泛应用于各种电子设备的瞬态电压抑制,例如:

* 消费电子: 手机、电脑、电视、音响、游戏机等。

* 工业电子: 电机控制系统、电力电子设备、仪器仪表等。

* 汽车电子: 汽车音响、导航系统、安全气囊系统等。

* 通信设备: 基站、路由器、交换机等。

* 医疗设备: 医疗仪器、诊断设备等。

五、 工作原理

SMBJ26CA 利用 PN 结的雪崩击穿效应来抑制瞬态电压。当瞬态电压超过器件的击穿电压时,PN 结发生雪崩击穿,产生大量的电子和空穴,从而将过量的能量吸收并转化为热能,最终将电压钳制在一个安全范围内。

六、 典型应用电路

以下是一个典型的应用电路,用于保护敏感电路免受瞬态电压的侵害:

```

+---------+

| |

| +-----+ |

| | | |

+-------> | | TVS | | <------+

| | | |

| +-----+ |

| |

+---------+

```

在这个电路中,SMBJ26CA 连接在敏感电路的电源线和地线之间,当瞬态电压发生时,SMBJ26CA 将迅速击穿,将电压钳制在一个安全范围内,从而保护敏感电路免受损坏。

七、 注意事项

* 在使用 SMBJ26CA 时,请务必注意其最大反向工作电压 (VRM) 和峰值脉冲电流 (IPP) 限制,避免器件损坏。

* 在安装 SMBJ26CA 时,请确保引脚方向正确,防止器件损坏。

* 在使用 SMBJ26CA 时,请注意其工作温度范围,避免超过工作温度上限,导致器件失效。

* 在使用 SMBJ26CA 时,请注意其泄漏电流,避免对电路产生影响。

* SMBJ26CA 属于单向器件,只能保护一个方向的电压尖峰,需要根据具体应用场景选择合适的器件。

八、 总结

SMBJ26CA 是一款性能优越的 TVS 二极管,具有高压钳位能力、快速响应速度、高脉冲电流承受能力、低结电容、工作温度范围宽等特点,能够有效地保护敏感电子设备免受瞬态电压的影响。其广泛应用于各种电子设备的瞬态电压抑制,在提高电子设备可靠性和稳定性方面发挥着重要作用。

 

上一篇: 辰达半导体(MDD)TVS二极管 SMBJ26A 26V SMB(DO-214AA) 单向参数资料
下一篇: 辰达半导体(MDD)TVS二极管 SMBJ28A 28V SMB(DO-214AA) 单向参数资料

热点资讯 - 辰达

 

辰达半导体(MDD)如何突破技术壁垒,抢占市场先机?
国产替代加速,辰达半导体(MDD)助力功率器件产业升级
辰达半导体(MDD)深耕功率半导体市场,打造核心竞争力
辰达半导体(MDD):国产功率半导体领军者的崛起
辰达半导体(MDD)布局新能源汽车产业链,引领技术创新
辰达半导体(MDD):IGBT、MOSFET国产化进程中的关键力量
辰达半导体(MDD)如何通过技术创新提升国产功率器件竞争力?
5G、AI、新能源并驱,辰达半导体(MDD)迎来发展新机遇
收起 展开
QQ客服
我的专属客服
工作时间

周一至周六:09:00-12:00

13:30-18:30

投诉电话:0755-82566015

微信客服

扫一扫,加我微信

0 优惠券 0 购物车 BOM配单 我的询价 TOP

请您留言

感谢您的关注,当前客服人员不在线,请填写一下您的信息,我们会尽快和您联系。

提交