| 齐纳二极管 | 齐纳二极管（Schottky Diode）是一种特殊类型的二极管，也称为势垒二极管（Barrierteir）或热电二极管（Hot Carrier Diode）。下面是齐纳二极管的简介、原理、特点、封装和选型方面的信息：
简介：齐纳二极管由金属与半导体之间的接触构成，以实现非常快速的电流响应和低电压降。它的命名来自物理学家Walter H. Schottky。
原理：齐纳二极管的原理是基于金属与半导体之间的Schottky势垒。当正向施加漏极（N区）和阳极（金属）之间的电压时，金属与半导体之间的势垒会迅速减小，从而使电子可以快速通过二极管。而在反向电压下，齐纳二极管只有较小的反向漏电流。
特点：
低电压降：因为齐纳二极管没有PN结，其正向电压降（压降）比普通二极管更低，通常在0.15V以下。
快速开关速度：齐纳二极管拥有快速的开关特性，可以实现高频率的开关操作。
低反向电流：在反向偏置下，齐纳二极管具有较低的反向漏电流。
低反向恢复时间：齐纳二极管的恢复时间较短，适用于高频应用。
封装：齐纳二极管的封装类型多样，包括DO-41、TO-220、SOT-23等，以适应各种应用场景。
选型：选用齐纳二极管需要考虑以下因素：
最大正向电流：确保齐纳二极管的电流承受能力大于电路要求的最大电流。
最大反向电压：选择反向电压承受能力大于电路要求的最大电压。
电压降：选用具有适当电压降的齐纳二极管，以满足应用的电压要求。
封装类型：根据应用需求选择合适的封装类型和尺寸。
总之，齐纳二极管具有低电压降、快速开关速度和低反向电流的特点，适用于高频电路和功率电子应用。选用齐纳二极管时，需要根据具体需求选择合适的参数和封装类型。
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本品为小信号开关二极管
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损耗功率 PD （mW） | 350 |
平均电流 IF （mA） | 200 |
反向击穿电压 VBR （V） | 100 |
正向电压 VF （V） | 0.85 |
正向测试电流 IF （mA） | 10 |
反向漏电流 IRM （μA） | 1 |
反向测试电压 VR （V） | 75 |
反向恢复时间 trr （ns） | 6 |
印字代码 Marking Code | T4 |
封装 Package | SOD-123 |
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