齐纳二极管 | 齐纳二极管(Schottky Diode)是一种特殊类型的二极管,也称为势垒二极管(Barrierteir)或热电二极管(Hot Carrier Diode)。下面是齐纳二极管的简介、原理、特点、封装和选型方面的信息:
简介:齐纳二极管由金属与半导体之间的接触构成,以实现非常快速的电流响应和低电压降。它的命名来自物理学家Walter H. Schottky。
原理:齐纳二极管的原理是基于金属与半导体之间的Schottky势垒。当正向施加漏极(N区)和阳极(金属)之间的电压时,金属与半导体之间的势垒会迅速减小,从而使电子可以快速通过二极管。而在反向电压下,齐纳二极管只有较小的反向漏电流。
特点:
低电压降:因为齐纳二极管没有PN结,其正向电压降(压降)比普通二极管更低,通常在0.15V以下。
快速开关速度:齐纳二极管拥有快速的开关特性,可以实现高频率的开关操作。
低反向电流:在反向偏置下,齐纳二极管具有较低的反向漏电流。
低反向恢复时间:齐纳二极管的恢复时间较短,适用于高频应用。
封装:齐纳二极管的封装类型多样,包括DO-41、TO-220、SOT-23等,以适应各种应用场景。
选型:选用齐纳二极管需要考虑以下因素:
最大正向电流:确保齐纳二极管的电流承受能力大于电路要求的最大电流。
最大反向电压:选择反向电压承受能力大于电路要求的最大电压。
电压降:选用具有适当电压降的齐纳二极管,以满足应用的电压要求。
封装类型:根据应用需求选择合适的封装类型和尺寸。
总之,齐纳二极管具有低电压降、快速开关速度和低反向电流的特点,适用于高频电路和功率电子应用。选用齐纳二极管时,需要根据具体需求选择合适的参数和封装类型。
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本品为小信号开关二极管
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损耗功率 PD (mW) | 200 |
平均电流 IF (mA) | 150 |
反向击穿电压 VBR (V) | 85 |
正向电压 VF (V) | 1.25 |
正向测试电流 IF (mA) | 150 |
反向漏电流 IRM (μA) | 0.005 |
反向测试电压 VR (V) | 75 |
反向恢复时间 trr (ns) | 3000 |
印字代码 Marking Code | JX |
封装 Package | SOT-323 |
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